中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联,并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。
前不久,业界传出德州仪器(TI)裁撤了其位于北京的一个芯片设计团队,消息称该团队主要负责较为低端的电源器件研发,人数大约50人。但事情发展不止于此,TI深圳团队几乎同期也传出被裁。
京元电指出,此次出售子公司的决定主要是出于对地缘政治对全球半导体供应链格局的影响,以及美国通过技术和实体清单对中国半导体产业的限制以及禁止某些产品的措施,中国半导体制造生态系统发生了变化,导...
安森美成立模拟与混合信号事业部安森美(onsemi)最新发布消息,宣布成立模拟与混合信号事业部(AMG),并由新任命的事业部总裁Sudhir Gopalswamy领导...
现在对于很多购买led显示屏产品消费者来说,在价格方面是有一定的考虑,但不仅仅是在价格上,质量上还要确保过关。当然随着现代科技的飞跃发展,我国led显示屏行业持续高速速度增长,产业规模不断扩...
LED全彩显示屏的好坏主要可以从以下几个方面来签定:1. 平整度显示屏的表面平整度要在±1mm以内,以保证显示图像不发生扭曲,局部凸起或凹进会导致显示屏的可视角度出现死角。平整...
1.SEMI:多项应用促进300毫米晶圆厂投资规模扩大据国际半导体产业协会(SEMI)发布的报告,由于存储器市场复苏以及对高性能计算和汽车应用的强劲需求,全球前端设施的300毫米晶圆厂设备支...
WSE-3的工艺制程升级为台积电5nm工艺,该晶体管数量增加达到惊人的4万亿个,与此同时,AI核心数量亦进一步增加到90万个,缓存容量达到44GB,外部搭配内存容量可选1.5TB、12TB、1200TB以满足不同规模的应用需求。