飞利浦OLED照明处于OK状态

影响LED显示屏质量的材料因素

LED寿命长的原因

MOCVD的应用范围

中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展

中国科学院金属研究所研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变,延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略,成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联,并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。

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首尔半导体Acriche LED亮度将提升至120lm/W

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工艺流程对白光LED寿命的影响

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